前ASML首席科學家林楠推動中國最新EUV技術突破 | 南華早報

中國科研團隊通過構建達到國際競爭參數的極紫外（EUV）光源平台，突破了高端芯片國產化的技術壁壘，研究論文顯示。該團隊來自中國科學院上海光學精密機械研究所，由前荷蘭ASML公司光源技術負責人林楠領銜。

ASML作為全球唯一能生產EUV光刻機的企業（該設備對製造7納米以下芯片至關重要），自2019年起在美國施壓下被禁止向中國出售最先進機型。ASML首席執行官克里斯托弗·富凱在4月16日與投資者的電話會議中表示：“中國雖然可能實現極紫外光生成，但要造出EUV光刻機仍需耗費許多年時間。”

林楠2021年響應國家海外高層次人才引進計劃回國，創建了負責此項研究的先進光刻技術課題組。

在加入ASML前，林楠曾受教於2023年諾貝爾物理學獎得主、瑞典皇家科學院院士安妮·呂利耶，其研究獲得歐盟瑪麗·居里學者計劃資助。