報告：韓國半導體關鍵技術兩年內全面落後於中國 | 聯合早報

韓國專家認為，在短短兩年內，韓國在多個關鍵半導體技術領域已被中國全面反超，這一局面令韓國社會震驚。

根據韓國科學技術規劃評價院（KISTEP）星期天（2月23日）發佈的三大關鍵領域技術水平深度分析報告，它對39位國內專家進行的問卷調查結果顯示，截至2024年，韓國半導體領域的技術基礎能力在所有關鍵領域均全面落後於中國。

據調查結果，以最高技術領先國定為100%為基準，在高集成、電阻式存儲器技術領域，韓國為90.9%，低於中國的94.1%，位居第二；在高性能、低功耗人工智能半導體技術領域，韓國為84.1%，也低於中國的88.3%。

此外，韓國與中國在功率半導體領域分別得分67.5%和79.8%；在下一代高性能傳感技術領域分別為81.3%和83.9%，而在半導體先進封裝技術領域，兩國均為74.2%的評價。

韓國在技術研發、原創及設計領域落後於中國

從商業化角度看，韓國僅在高集成、電阻存儲器技術和半導體先進封裝技術領域領先於中國。

延伸閲讀

[韓媒報告：半導體除外 中國已全面超越韓國

](https://www.bdggg.com/2024/zaobao/news_2024_09_25_709407) [韓國政府宣佈投資260億支持半導體業

](https://www.bdggg.com/2024/zaobao/news_2024_05_24_684236) 值得注意的是，參與本次問卷調查的專家曾於2022年接受同項評估，當時他們認為韓國在高集成、電阻式存儲器技術、半導體先進封裝技術、下一代高性能傳感技術等領域均被視為領先，但在短短兩年後，局面已發生徹底逆轉。

在針對半導體領域整體技術生命週期的問卷調查中，韓國雖然在工藝和量產方面領先於中國，但在技術研發、原創及設計領域則落後於中國。

報告指出，受日本高端與中國技術崛起、美國製裁、東南亞市場快速增長、特朗普政府上台以及韓國國內研發投入不足等多重不確定因素影響， 韓國半導體市場前景依然充滿變數 。

據瞭解，中國長江存儲（YMTC）近日成功批量生產294層NAND閃存產品。 相較於三星電子從128層躍升至286層所需約四年七個月的時間，中國僅用了約三年五個月便實現了從128層到294層的技術飛躍，這一成果標誌着中國在存儲器技術領域取得了顯著突破。

韓國《亞洲經濟》指出，中國技術快速進步，加之特朗普近期預告將在未來幾周內對半導體等產品徵收關税，使韓國在技術突破與貿易制裁的雙重不利因素下面臨嚴峻挑戰。

報告認為，未來影響韓國半導體技術水平的關鍵因素包括核心人才流失、AI半導體技術發展、美中牽制、本國政策和供應鏈本地化，其中核心人才問題尤為突出。

報告強調，產業界人才培養獎勵及吸引海外專業人才的移民政策迫在眉睫。專家認為，改善工作環境、留住高端人才是實現技術突破和產業升級的關鍵。