半導體轉化創新中心啓用 明年中起生產先進晶片 | 聯合早報
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獲1億2300萬元政府資金成立的新半導體轉化創新中心正式啓用,從明年中起,中心將提供生產先進晶片的商業代工服務,支持這類晶片在5G和6G通信等技術的應用。
主管能源與科技的人力部長陳詩龍醫生星期四(6月26日)出席新加坡氮化鎵半導體技術轉化創新中心(National Semiconductor Translation and Innovation Centre for Gallium Nitride,簡稱NSTIC(GaN))的開幕儀式時,做出以上宣佈。這也是本地首個能夠同時生產六英寸,以及八英寸氮化鎵(Gallium Nitride)晶片的設施。
氮化鎵是最具代表性的第三代半導體材料之一,在5G和6G通信、自動駕駛車,甚至雷達等領域有廣泛的應用。它能夠讓設備更加小巧、快速且節能。
陳詩龍致辭時指出,這一舉措將幫助企業克服高昂的資本門檻,這也是轉化技術時面對的主要挑戰。通過這個設施,本地中小企業和起步公司能夠使用中心提供的服務,加速產品開發和驗證,更快把產品推出市場。
陳詩龍:生產先進半導體 加強我國全球競爭力
他説:“這將讓新加坡成為全球少數能夠生產先進半導體的樞紐之一,推動未來的通信需求,同時加強我國韌力和全球競爭力。”
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新加坡氮化鎵半導體技術轉化創新中心由新加坡科技研究局(A*STAR)、國防科技研究院(DSO National Laboratories),以及新加坡南洋理工大學共同成立。政府在2023年撥出1億2300萬元來支持這個項目,用於設立生產線和支付人力開銷等,撥款為期五年。
這座位於緯壹科技城(one-north)Innovis大廈的中心,也具備先進節點處理(node processing)技術,能夠支持低於0.1微米至超過100千兆赫(GHz)的頻段。中心目前與八個夥伴合作使用技術,並將從明年中開始,在本地提供商業生產代工服務。
主管中心的執行總監、南洋理工大學黃玉榮教授受訪時説,在全球供應鏈遭受干擾的背景下,新加坡掌握生產氮化鎵的技術能夠幫助本地企業提升韌力,降低供應鏈受干擾帶來的影響。
市場對氮化鎵技術的需求日益擴大,據估計,全球射頻氮化鎵設備的市場規模,將在2022年至2028年期間翻倍,至超過27億美元(約34億新元)。