美智庫：中國半導體光刻技術進展滯後 | 聯合早報

（華盛頓彭博電）美國智庫研究顯示，中國在推動半導體光刻技術發展方面仍面臨嚴峻挑戰，成為在中美貿易戰中爭取技術自主與競爭優勢的主要障礙之一。

據彭博社報道，華盛頓獨立智庫喬治城大學安全與新興技術中心（CSET）星期一（7月14日）公佈報告指出，中國光刻設備主要供應商上海微電子裝備公司，目前在舊一代光刻機市場的佔有率僅為4%。

報告指出，儘管中國企業“在晶片製造設備方面已取得顯著進展”，並在部分細分領域追平日本，但在先進光刻技術上，上海微電子仍遠遠落後於荷蘭巨頭阿斯麥控股（ASML）和日本尼康公司（Nikon）。

研究人員指出，這凸顯出光刻技術仍是制約中國高科技產業發展的關鍵瓶頸。

受美國長期出口限制影響，阿斯麥從未向中國出口其最先進的極紫外（EUV）光刻系統。中國科技巨頭華為在2023年推出一款國產七納米晶片，曾令美國政界大為震驚，該晶片由中芯國際協助量產。然而，由於缺乏先進光刻設備，這一進展隨後陷入停滯。

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