韓媒指華為要求穩定內存供應，三星、海力士出面否認

（文/觀察者網 呂棟）5月24日，《韓國經濟日報》披露，在美國政府“封殺”再次升級之際，華為已要求韓國三星電子和SK海力士維持穩定的內存芯片供應。

然而，彭博社今天（5月25日）報道稱，兩家韓國公司均對上述報道予以否認。

目前，中國在DRAM（動態隨機存儲器）和NAND Flash（閃存）兩大存儲器領域主要依賴進口。國產替代方面，長江存儲成功研發128層3D NAND，長鑫存儲發佈了DDR4、LPDDR4X內存。

報道截圖

“華為正迅速建立庫存”

5月24日，《韓國經濟日報》引述業內人士消息報道，儘管美國政府近期升級了制裁，但華為還是召集了三星電子和SK海力士在中國子公司的高層，要求穩定內存芯片的供應。

但是一天後，據彭博社報道，這兩家韓國公司的發言人週一均否認了韓媒的報道，三星表示沒有舉行過與華為的會議，而海力士則沒有透露詳細信息。

彭博社報道截圖

報道指出，華為是三星和SK海力士的五大客户之一，每年花費約10萬億韓元（約合人民幣574.5億元）從韓國公司購買DRAM和NAND閃存芯片。

值得注意的是，在美國政府禁止任何使用美國設備的芯片製造商，未經其許可不得向華為供應芯片後，全球供應商面臨的壓力越來越大。

報道中提到，雖然存儲芯片製造商不受美國限制，但華為擔心以後制裁範圍可能會被擴大。由於三星電子和SK海力士供應全球超過70%的DRAM內存芯片，美國將其納入制裁範圍勢必將威脅華為的正常運營。

《韓國經濟日報》引用業內人士的話稱，華為正在迅速建立存儲芯片庫存，以備不時之需。

值得一提的是，就在一週之前（5月18日），三星電子副會長李在鎔還前往西安視察其在海外唯一的存儲器生產基地。該基地二期項目建成後，將成為全球規模最大的閃存芯片製造基地。

國內廠商仍在追趕

存儲器一直是中國集成電路產業的短板。海關總署數據顯示，2019年中國集成電路進口額3040億美元。其中，存儲器進口額947億美元，同比下降23.1%，但佔比仍達31.1%。

不過，國內存儲芯片廠商也在製程工藝上逐步推進。

在NAND Flash方面，行業調研機構集邦諮詢4月22日的報告指出，長江存儲已在第一季度將128層3D NAND樣品送交存儲控制器廠商，目標第三季進入投片、年底前量產，擬用於UFS、SSD等各類終端產品，並同時出貨給模組廠。

2019年第四季度全球NAND閃存市場營收數據，三星、鎧俠、美光、海力士等國外廠商佔據份額超99%

根據該報告，NAND Flash各供應商在1XX層的產品世代已有分歧，儘管三星、SK海力士已推出128層產品，但鎧俠/西數、美光、英特爾的112/128/144層產品要到下半年才會放量，相比前幾代3D NAND產品的發展進程來得更久，有利於長江存儲128層產品迎頭趕上。

除此之外，報告指出，去年NAND Flash價格平均跌幅達46%，導致主要供應商陷入虧損，資本支出轉為保守，產出增長規劃亦創下歷史新低，這也讓長江存儲有了拉近差距的機會。

圖片來源：集邦TrendForce

在DRAM方面，合肥長鑫存儲自主研發的DDR4內存芯片、LPDDR4X內存芯片、DDR4模組等產品已亮相其官網。據其介紹，相較於上一代DDR3內存芯片, DDR4內存芯片擁有更快的數據傳輸速率、更穩定的性能和更低的能耗，可應用於PC、服務器、消費電子類產品等領域。

長鑫存儲官網截圖

觀察者網去年12月曾報道，長鑫存儲宣佈成為國內唯一一家DRAM生產商。該公司已經完成合肥Fab 1及研發設施建設，計劃在今年第二季度將產能提高1倍，達到每月4萬片，約佔全球產能3%。

與國外廠商進度對比來看，今年2月，美光6GB、8GB和12GB容量的LPDDR5內存已出貨給客户，三星16GB LPDDR5也於同月量產，而長鑫存儲10nm級第一代8Gb DDR4去年9月才首度亮相。

2019年第四季度全球DRAM廠商營收排名，三星、海力士、美光合計佔據95%的市場份額 數據來源：集邦諮詢

（編輯：尹哲）

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