中國公司在為人工智能芯片組生產高帶寬內存方面取得進展 | 路透社

一面中國國旗展示在一個印刷電路板旁，電路板上有半導體芯片，圖中顯示的是2023年2月17日拍攝的插圖。路透社/弗洛倫斯·羅/插圖/檔案照片新加坡/北京，5月15日（路透社）- 兩家中國芯片製造商正在早期階段生產用於人工智能芯片組的高帶寬內存（HBM）半導體，消息來源和文件顯示。

HBM的進展——即使只是舊版本的HBM——代表了中國在減少對外國供應商依賴方面的重大進展，尤其是在與華盛頓的緊張關係導致對中國公司的美國先進芯片出口限制的背景下。

中國最大的DRAM芯片製造商CXMT與芯片封裝和測試公司通富微電合作開發了樣品HBM芯片(002156.SZ)，據三位知情人士透露。這些芯片正在向客户展示，兩位知情人士表示。通富微電的股票在週三交易中上漲了8%。

另一個例子是，武漢新芯正在建設一座工廠，能夠每月生產3000片12英寸的HBM晶圓，文件顯示建設預計於今年2月開始。

CXMT和其他中國芯片公司還定期與韓國和日本的半導體設備公司舉行會議，以購買開發HBM的工具，兩位知情人士表示。

消息來源未獲授權對此事發言，並拒絕透露身份。總部位於合肥的CXMT（長鑫存儲科技）和通富微電子未對評論請求作出回應。

武漢新芯已向監管機構表示有意上市，其母公司也未對評論請求作出回應。該母公司還是NAND存儲專家YMTC（長江存儲科技）的母公司。YMTC表示其沒有能力大規模生產HBM。

CXMT和武漢新芯都是私營公司，已獲得地方政府資金以推動技術發展，因為中國正在大量投資發展其芯片行業。

武漢地方政府也未對評論請求作出回應。

另外，中國科技巨頭華為（HWT.UL）被美國視為國家安全威脅並受到制裁，計劃到2026年與其他國內公司合作生產HBM2芯片，消息來源和一位知情人士透露。

《信息》在四月報道，華為領導的公司集團旨在製造HBM，包括福建晉華集成電路，這是一家同樣受到美國製裁的存儲芯片製造商。

華為在其Ascend AI芯片的需求激增的情況下，拒絕發表評論。目前尚不清楚華為從何處採購HBM。福建晉華未對評論請求作出回應。

漫長的旅程在前

HBM是一種DRAM標準，首次於2013年生產，芯片垂直堆疊以節省空間並降低功耗，適合處理複雜AI應用產生的大量數據，需求在此期間激增。人工智能熱潮。高帶寬內存（HBM）市場由韓國的 SK海力士(000660.KS) 主導 - 直到最近，它是人工智能芯片巨頭英偉達的唯一 HBM 供應商 (NVDA.O)，根據分析師的説法 - 以及 三星(005930.KS)，以及在較小程度上美國公司 美光科技 。 三家公司均製造最新標準 - HBM3 芯片 - 並正在努力在今年向客户推出第五代 HBM 或 HBM3E。根據兩位消息來源和一位直接瞭解情況的人士的説法，中國目前的努力集中在 HBM2 上。

美國並沒有對 HBM 芯片的出口施加限制，但 HBM3 芯片是使用美國技術製造的，許多中國公司，包括華為，因限制而被禁止訪問這些技術。

白橡資本的投資總監 Nori Chiou 和一位曾研究 IT 領域的分析師估計，中國芯片製造商在 HBM 方面落後於全球競爭對手十年。

他説：“中國面臨着相當大的挑戰，因為它目前缺乏與韓國同行競爭的優勢，即使在傳統內存市場中也是如此。”

“儘管如此，（長電科技）的合作與通富代表了中國在 HBM 市場上提升其內存和先進封裝技術能力的重要機會。”

由CXMT、通富和華為提交的專利表明，國內開發HBM的計劃至少可以追溯到三年前，當時中國的芯片產業越來越成為美國出口管制的目標。

根據Anaqua的AcclaimIP數據庫，CXMT在美國、中國和台灣提交了近130項與HBM芯片的製造和功能相關的不同技術問題的專利。其中，2022年發佈了14項，2023年發佈了46項，2024年發佈了69項。

上個月發佈的一項中國專利顯示，該公司正在研究混合鍵合等先進封裝技術，以創造更強大的HBM產品。另一項申請顯示，CXMT還在投資開發創建HBM3所需的技術。

《技術彙總》通訊將最新的新聞和趨勢直接送到您的郵箱。請在 這裏註冊。